[发明专利]化学气相生长装置

摘要

一种用于在衬底上生长薄膜的化学气相生长装置，包括：一个控温的恒温下部加热元件，该下部加热元件包括多个载体盘在其上面，其中，每个载体盘在其上面还包括多个用于薄膜沉积的衬底；多个隔板，该隔板设置在所述下部加热元件上方以定义多个子反应室；每个子反应室上方并设置一个上部加热元件，每个上部加热元件是由多个控温的恒温上部加热单元所构成，该上部加热元件被设置在所述下部加热元件的上方，两者之间的间隙即为每个子反应室的高温反应区；进气装置，该进气装置被安装在每个子反应室中以将至少一种前驱体提供到所述子反应室中；以及安装在所述化学气相生长装置中以排出气体的出气装置。

主权项

1.一种化学气相生长装置，其特征在于，包括：一个控温的下部加热元件，其中，多个载体盘被布置在所述下部加热元件上，并且，其中每个载体盘承载多个用于沉积薄膜的衬底；多个隔板，所述多个隔板被设置在所述下部加热元件上方的位置，以将所述生长装置分隔成多个子反应室；每个子反应室中皆有一个上部加热元件，所述上部加热元件被布置在所述下部加热元件的上方，上、下部加热元件中间的空隙即为本装置的高温反应区，其中，所述上部加热元件具有多个控温的上部加热单元；进气装置，所述进气装置被安装在每个子反应室中以允许至少一种前驱体和/或载流气体进入所述子反应室；以及出气装置，安装在所述生长装置上以排出气体。