[发明专利]一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚在审
| 申请号： | 201810688398.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108728895A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 余学功;胡泽晨;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B13/14 | 分类号： | C30B13/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过等离子体增强化学气相沉积法沉积有Si3N4薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18～18.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 准单晶硅 阻挡层 铸锭 坩埚 氮化硅薄膜 硅片 少子寿命 等离子体增强化学气相沉积法 太阳能级单晶硅 氮化硅涂层 底座内表面 转换效率 准单晶 薄膜 沉积 切割 电池 铸造 | ||
【主权项】：
1.一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚的底座部内表面设有氮化硅涂层，氮化硅涂层上设有阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Si3N4薄膜的基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810688398.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于高压涡轮盘的硫酸电解腐蚀装置
- 下一篇：一种坩埚轴升降装置
