[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810689001.X | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860038B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李胜男;蔡腾群;徐崇威;吴振豪;蔡宗霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种半导体装置的制造方法包括提供一基材，此基材上形成有氧化硅层和覆盖氧化硅层的金属氧化物层。此方法还包括制备CMP浆料。所述CMP浆料包括带有负电荷的多个研磨粒、包含(X |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含：提供一基材，该基材上形成有氧化硅层和金属氧化物层，其中该金属氧化物层覆盖该氧化硅层；制备一化学机械平坦化(chemical mechanical planarization；CMP)浆料，其中该CMP浆料包含：多个研磨粒，其带有负电荷；一路易士碱，包含(XaYb)‑基团，其中X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a>0且b>0；以及一缓冲溶液，其中该CMP浆料具有实质为2至7的pH值；对该金属氧化物层的一表面进行一平坦化操作，该平坦化操作是通过一研磨头及注射于该金属氧化物层的该表面上的该CMP浆料来进行，直至该氧化硅层的一表面暴露出，其中该平坦化操作具有该金属氧化物层相对于该氧化硅层的高选择性，且该研磨头对该金属氧化物层的该表面施予一向下作用力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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