[发明专利]排气装置及干法刻蚀设备在审
| 申请号： | 201810690779.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109087869A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宋德伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种排气装置及干法刻蚀设备，排气装置包括排气泵和排气腔体，排气腔体中空且为一框体，排气泵连通排气腔体的中空部分，框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，框体的表面形成有多个排气孔，排气泵通过排气腔体排出待刻蚀件周围的气体。本申请通过将排气腔体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，且框体表面包括多个排气孔，通过排气泵从排气腔体中排气，进而使得气体从待刻蚀件四周的多个排气孔中均匀排出。本申请使得待刻蚀件的四周气体流速均匀，保持刻蚀均一性，进而避免刻蚀残留。 | ||
| 搜索关键词： | 排气腔体 刻蚀件 排气泵 排气装置 排气孔 框体 干法刻蚀设备 放置位置 周边设置 中空 刻蚀 排出 申请 表面形成 框体表面 气体流速 均一性 排气 连通 残留 | ||
【主权项】：
1.一种排气装置，其特征在于，包括排气泵和排气腔体，所述排气腔体中空且为一框体，所述排气泵连通所述排气腔体的中空部分，所述框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置，所述框体的表面形成有多个排气孔，所述排气泵通过所述排气腔体排出所述待刻蚀件周围的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
