[发明专利]化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置

摘要

本发明是关于一种化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置，涉及碳化硅涂层制备技术领域。主要采用的技术方案为：化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置包括：腔体、支撑环、扰流体以及支撑部件；腔体的顶部设置有进气装置，腔体的底部设置有出气装置；支撑环的外侧壁与腔体的内壁连接，将腔体分割成中部连通的上腔体和下腔体；扰流体的一端设置在支撑环上，并沿支撑环到腔体顶部的方向设置，扰流体的数量大于等于三个；支撑部件设置在腔体的底部，用于支撑待沉积涂层的样品，并使样品位于下腔体中。本发明提供的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置，能够在样品表面获得全沉积的碳化硅涂层。

主权项

1.一种化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置，其特征在于，其包括：/n腔体，所述腔体的顶部设置有进气装置，所述腔体的底部设置有出气装置；/n其中，所述进气装置包括一端伸入所述腔体的第一进气管和第二进气管，且在靠近所述第一进气管的一端端部的侧壁上设置有第一出气口，在靠近所述第二进气管的一端端部的侧壁上设置有第二出气口，所述第一进气管的另一端与所述第二进气管的另一端均用于与气源连接；/n支撑环，所述支撑环的外侧壁与所述腔体的内壁连接，将所述腔体分割成中部连通的上腔体和下腔体；/n扰流体，所述扰流体的一端设置在所述支撑环上，并沿所述支撑环到腔体顶部的方向设置，所述扰流体的数量大于等于三个；/n支撑部件，所述支撑部件设置在所述腔体的底部，用于支撑待沉积涂层的样品，并使样品位于所述下腔体中。/n