[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201810694815.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660635B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张璐 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括：腔室本体；基座，位于所述腔室本体内；盖板，盖设在所述腔室本体上，且与所述腔室本体之间绝缘间隔；下电极射频电源，与所述基座和所述盖板选择性地电连接；并且，启辉阶段，所述盖板为悬浮状态，所述下电极射频电源与所述盖板电性导通，以通过容性耦合的方式使得等离子体发生启辉；启辉结束，所述下电极射频电源与所述基座电性导通，以形成射频自偏压。盖板在启辉阶段为悬浮状态，并且，在启辉阶段，下电极射频电源与盖板电性导通，从而可以通过容性耦合的方式实现等离子体启辉，进而可以降低启辉阶段的晶圆损伤，且同时还能够有效降低腔室颗粒污染，提高晶圆的加工良率，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：/n腔室本体；/n基座，位于所述腔室本体内；/n盖板，盖设在所述腔室本体上，且与所述腔室本体之间绝缘间隔；/n下电极射频电源，与所述基座和所述盖板选择性地电连接；并且，/n启辉阶段，所述盖板为悬浮状态，所述下电极射频电源与所述盖板电性导通，以通过容性耦合的方式使得等离子体发生启辉；/n启辉结束，所述下电极射频电源与所述基座电性导通，以形成射频自偏压。/n
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