[发明专利]超结结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810695464.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878534B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结结构，超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型材料组成，超结沟槽形成于N型外延层中。超结沟槽由底部沟槽和顶部沟槽叠加而成。底部沟槽的侧面倾角大于90度，底部沟槽的底部表面的宽度大于顶部表面的宽度。顶部沟槽的侧面倾角小于90度，顶部沟槽的底部表面的宽度小于顶部表面的宽度。整个超结沟槽呈中间窄的收腰型结构，底部沟槽使超结沟槽的底部宽度增加，增加对N型柱底部的耗尽，提高超结结构的击穿电压范围。本发明还公开了一种超结结构的制造方法。本发明能提高超结结构的击穿电压范围，且工艺简单，工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结结构，其特征在于：超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型材料组成，超结沟槽形成于N型外延层中，N型柱由所述P型柱之间的所述N型外延层组成，所述N型外延层形成于半导体衬底表面；所述超结沟槽由底部沟槽和顶部沟槽叠加而成；所述底部沟槽和所述顶部沟槽的剖面都呈梯形，所述底部沟槽的侧面倾角为所述底部沟槽的剖面梯形的顶角，所述顶部沟槽的侧面倾角为所述顶部沟槽的剖面梯形的顶角；所述底部沟槽的侧面倾角大于90度，所述底部沟槽的底部表面的宽度大于顶部表面的宽度；所述顶部沟槽的侧面倾角小于90度，所述顶部沟槽的底部表面的宽度小于顶部表面的宽度；所述顶部沟槽的底部表面为所述底部沟槽的顶部表面，整个所述超结沟槽呈中间窄的收腰型结构，所述底部沟槽使所述超结沟槽的底部宽度增加，增加对所述N型柱底部的耗尽，提高超结结构的击穿电压范围。
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