[发明专利]一种半导体合成装置和合成方法在审
| 申请号： | 201810698427.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108531975A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 宋丹氢;张天舒 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种应用于水平布里奇曼法的半导体合成装置，其中，该合成装置包括密闭反应管、第一炉体和第二炉体，其中，第一炉体和第二炉体由中间管道连接，反应管放置在由第一炉体、中间管道、第二炉体共同限定的炉腔中，对应第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，其中，反应管在水平方向的不同位置处布置有多个水平舟容器，多个水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。本发明的装置允许一次制作多个品质优良的晶棒。 | ||
| 搜索关键词： | 炉体 合成装置 支架装置 第一层 中间管道 反应管 半导体 温度控制装置 布里奇曼法 单独设置 密闭反应 一次制作 位置处 叠置 晶棒 炉腔 合成 支撑 应用 | ||
【主权项】：
1.一种应用于水平布里奇曼法的半导体合成装置，其中，该合成装置包括密闭反应管、第一炉体和第二炉体，其中，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接，所述反应管放置在由所述第一炉体、所述中间管道、所述第二炉体共同限定的炉腔中，对应所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，其中，所述反应管在水平方向的不同位置处布置有多个水平舟容器，所述多个水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，所述支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在所述第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。
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