[发明专利]一种混合式非失性存储装置有效
| 申请号： | 201810699354.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110727470B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王春林;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F9/445 | 分类号： | G06F9/445;G06F9/50 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合式非易失性存储装置，包括NAND闪存、MRAM、控制电路，MRAM的第一部分作为内存使用，第二部分用来存储快速启动代码，第三部分用作NAND闪存的缓存，第四部分用作存储控制NAND闪存的必要信息。控制电路包括DDR接口、MRAM控制器、NAND闪存控制器、多通路选择器。在MRAM中存储装置的快速启动代码，存储装置启动时通过DDR接口直接运行这些快速启动代码。在MRAM中存储用于NAND闪存的逻辑物理地址对照表、损耗均衡表和NAND管理代码。本发明的有益效果：基于MRAM和FLASH的混合式非易失型内存，并具有高速度、低功耗和大容量的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合式 非失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括NAND闪存、MRAM、控制电路，所述MRAM的第一部分作为内存使用，所述MRAM的第二部分用来存储快速启动代码，所述MRAM的第三部分用作NAND闪存的缓存，所述MRAM的第四部分用作存储控制NAND闪存的必要信息。/n
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