[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810699906.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109065682B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1‑xN，0＜x＜1。本发明通过在InGaN和GaN之间插入一层BInN，B原子的尺寸较小，BInN可以有效的补偿应力，实现与InGaN和GaN的晶格匹配，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 依次层叠 发光二极管外延 复合结构 晶格失配 衬底 盖层 垒层 源层 阱层 半导体技术领域 发光效率 晶格匹配 压电极化 缓冲层 外延片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，其特征在于，所述盖层的材料为BxIn1‑xN，0＜x＜1。
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