[发明专利]一种工艺控制方法有效
| 申请号： | 201810706079.8 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108899287B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴晓彤;聂钰节 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种工艺控制方法，所述工艺控制方法在现有APC系统提供的控制参数的基础上增加量测影响因子，通过对量测标准片进行特定工艺加工，利用不同量测机台分别测量所述量测标准片的一工艺尺寸得到多个尺寸值，将多个所述尺寸值的其中一个和一标准值的差值作为量测影响因子增加到现有控制参数中形成标准控制参数，通过标准控制参数控制下批次晶圆进行所述特定工艺，以避免因前批次晶圆工艺尺寸测量存在误差造成控制参数漂移而最终导致下批次晶圆返工甚至报废。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种工艺控制方法，其特征在于，所述工艺控制方法包括以下步骤：对一晶圆进行特定工艺加工，并对加工后的所述晶圆的至少一个相关工艺参数进行实时的数据采集，通过现有APC系统对采集的数据进行分析形成所述特定工艺的基础控制参数；对一量测标准片进行所述特定工艺加工，利用多个不同量测机台分别测量所述量测标准片的一工艺尺寸得到多个尺寸值；将多个所述尺寸值的其中一个和一标准值的差值作为量测影响因子；在所述的基础控制参数中加入所述量测影响因子形成标准控制参数,通过所述标准控制参数控制下批次晶圆进行所述特定工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810706079.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
