[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：S1.扩散炉预热并通氮气；S2.进舟，保持扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；S3.通氧气、氮气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；S4.第一次沉积三氯氧磷；S5.第二次沉积三氯氧磷，磷源浓度较步骤S4提高；S6.升温扩散推进；S7.高温下，第三次沉积三氯氧磷；S8.高温推进结深；S9.降温退火；S10.退舟。本发明沉积磷时，先低浓度后高浓度升温，采用递增渐变式进行扩散，有利于提高电池片的电性能，减小扩散极差。

主权项

1.一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1.将扩散炉预热至780～800℃，并通氮气；S2.将制绒清洗后的硅片送入所述扩散炉内，保持所述扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；S3.将所述扩散炉保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮气，以0.5～1.5L/min的流量通入氧气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；S4.将所述扩散炉保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮气，以0.3～0.5L/min的流量通入氧气，以0.3～0.5L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为200～400s；S5.将所述扩散炉保持在750～800℃，以14～20L/min的流量通入氮气，以0.5～0.8L/min的流量通入氧气，以0.7～1.0L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为600～800s；S6.将所述扩散炉升温并保持在810～850℃，通氮气，时间为500～700s；S7.将所述扩散炉保持在810～850℃，以15～20L/min的流量通入氮气，以0.5～0.8L/min的流量通入氧气，以1.4～2.0L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为400～600s；S8.将所述扩散炉保持在810～850℃，通氮气，时间为100～200s；S9.将所述扩散炉降温并保持在700～780℃，以20～30L/min的流量通入氮气，以1～2L/min的流量通入氧气，时间为600～1200s；S10.将所述扩散炉保持在780～800℃，通氮气，退舟。