[发明专利]一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法

摘要

本发明涉及一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上，通过PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成不同的生长区域图案，接着通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，完成选择区域生长。采用电子束光刻在不同选择生长区域内刻写不同周期的光栅图案，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；采用典型的掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；并光刻、腐蚀形成双沟结构，进行脊型表面开孔，电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器。本发明实现不同区域出不同的出光波长，单片上不同波长的激光器阵列。

主权项

1.一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1:在N‑InP衬底片上，通过PECVD沉积SiO2介质层，通过光刻形成不同的选择生长区域；步骤S2:通过MOCVD生长缓冲层、波导、量子阱、光栅结构完成选择生长区域生长；步骤S3:采用电子束光刻在选择生长区域制备光栅，通过腐蚀形成周期光栅，外延再生长光栅覆盖层；步骤S4:采用掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，并去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；步骤S5:通过光刻在不同选择生长区域中间形成脊型结构，采用溴素系腐蚀溶液腐蚀脊型结构形成双沟电流限制结构，并进行脊型表面开孔；步骤S6:进行电子束蒸发P面金属，减薄，蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器的制备。