[发明专利]一种LED表面粗化芯片的生长方法在审
| 申请号： | 201810707824.0 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110676354A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 林伟;张兆喜;徐晓强;闫宝华 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/22;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种LED表面粗化芯片的生长方法，通过使用PECVD生长氧化硅或氮化硅膜1做粗化掩膜进行粗化的工艺方法，因粗化液是从分子缝隙向下渗透，所以粗化可以达到纳米量级，粗化后氧化硅或氮化硅掩膜不须去除，因其不导电性，可继续当电流阻挡层使用。制备的表面粗化LED芯片粗化步骤非常简单，成本低，粗化形貌良好，可以达到纳米量级，极大的提升了光电参数和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 粗化 氧化硅或氮化硅 纳米量级 掩膜 形貌 电流阻挡层 导电性 表面粗化 光电参数 生产效率 向下渗透 粗化液 生长 去除 制备 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：/na)LED芯片自上而下具备P-GaN层（2）、量子阱层（3）以及N-GaN层（4），在LED芯片P-GaN层（2）的表面通过PECVD方法生长一层氧化硅或氮化硅膜（1）；/nb)以氧化硅或氮化硅膜（1）作为掩膜，使用粗化液粗化LED芯片外延片表面，粗化后冲水处理，冲水后进行烘干，取出表面残留粗化液；/nc)在氧化硅或氮化硅膜（1）表面涂覆正性光刻胶，在正性光刻胶上制出电流阻挡层图形，使用化学腐蚀法对电流阻挡层图形外的氧化硅或氮化硅膜（1）进行湿法腐蚀，腐蚀出电流阻挡层后去除氧化硅或氮化硅膜（1）表面的正性光刻胶；/nd)在P-GaN层（2）及电流阻挡层上生长一层透明导电膜（5）；/ne)在透明导电膜（5）表面涂覆正性光刻胶，对涂覆的正性光刻胶进行光刻，光刻出电流扩展层台面图形，使用化学腐蚀法对电流扩展层台面图形进行湿法腐蚀，腐蚀出电流扩展层图形；/nf)在透明导电膜（5）及电流扩展层图形上涂覆正性光刻胶，形成光刻胶层（6），对光刻胶层（6）进行光刻，光刻出P型GaN台面结构图形，在P型GaN台面结构图形处通过干法刻蚀沿P-GaN层（2）刻蚀至N-GaN层（4），刻蚀完成后去除光刻胶层（6）；/ng)在P-GaN层（2）、氧化硅或氮化硅膜（5）及透明导电膜（5）上生长一层氧化硅膜，作为钝化层（7）；/nh)在LED芯片表面甩匀负性光刻胶，依次经曝光、显影和腐蚀后在钝化层（7）上制作成P型电极和N型电极结构的光刻胶图形；/ni)在P型电极和N型电极结构的光刻胶图形上蒸镀金属电极，蒸镀后剥离清洗形成P电极和N电极。/n
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