[发明专利]碳纳米结构体生长用CVD装置及碳纳米结构体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201810707847.1 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN109384216A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 中野美尚;野末龙弘;福田义朗;塚原尚希;村上裕彦 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15;C01B32/16;C01B32/186;B82Y30/00
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种使碳纳米结构体在处理对象物整个表面上生长的碳纳米结构体生长用CVD装置以及碳纳米结构体的制造方法,该生长用CVD装置(M)具有:处理炉(1);运送装置(15),以通过处理炉内的方式运送处理对象物(Fm);气体导入装置(11、12),向处理炉内导入含碳的原料气体;以及加热装置(13),加热原料气体;所述CVD装置使碳纳米结构体在通过处理室内的处理对象物的表面上生长;运送装置具有放置处理对象物并以规定速度移动的带状体(Vm),该带状体上形成允许碳纳米结构体向处理对象物的放置面侧(Fm1)生长的多个开口;在所述CVD装置中,网眼体(Bm)介于带状体和处理对象物之间。
搜索关键词: 碳纳米结构体 处理对象物 生长 处理炉 带状体 运送装置 气体导入装置 加热原料 加热装置 原料气体 整个表面 放置面 网眼体 制造 开口 室内 运送 移动
【主权项】:
1.一种碳纳米结构体生长用CVD装置,其特征在于,具有:处理炉;运送装置,以通过处理炉内的方式运送处理对象物;气体导入装置,向处理炉内导入含碳的原料气体;以及加热装置,加热原料气体;所述碳纳米结构体生长用CVD装置使碳纳米结构体在通过处理室内的处理对象物的表面上生长;运送装置具有放置处理对象物并以规定速度移动的带状体,在该带状体上形成允许碳纳米结构体向处理对象物的放置面侧生长的多个开口;在所述碳纳米结构体生长用CVD装置中,网眼体介于带状体和处理对象物之间。
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