[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810708062.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108546922A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 朴在佑;金东朝;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;李伦圭;金度贤;全祐奭 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王慧敏;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：铜层，包括栅电极、源电极、漏电极和/或布线；阻挡层，通过使用氧化锌基溅射靶的溅射沉积在铜层上，所述氧化锌基溅射靶具有烧结体，所述烧结体包括掺杂有基于氧化锌重量的1％w/w至50％w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及氧化物层，沉积在阻挡层的顶部上，其中，氧化物层是氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 氧化物层 氧化锌基 溅射靶 烧结体 氧化锌 阻挡层 铜层 溅射沉积 氧化硅层 漏电极 氧化铟 源电极 栅电极 布线 沉积 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：铜层，包括栅电极、源电极、漏电极和/或布线；阻挡层，通过使用氧化锌基溅射靶的溅射沉积在铜层上，所述氧化锌基溅射靶具有烧结体，所述烧结体包括掺杂有基于氧化锌重量的1％w/w至50％w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及氧化物层，沉积在阻挡层的顶部上，其中，氧化物层是氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810708062.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种管靶贴合控制间隙的方法
- 下一篇：一种磁场均匀性在线无极调节装置
- 同类专利
- 专利分类
