[发明专利]一种纳米材料场发射阴极图案化制备方法在审
| 申请号： | 201810708433.0 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108933068A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓兵;张建;王琦龙 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米场发射冷阴极图案化制备方法，属于材料制备领域，特别是碳纳米管、石墨烯、氧化锌等用于真空电子器件场发射电子枪的纳米材料冷阴极的制备。针对背景技术存在的弊端，结合激光加工技术设计了一种纳米材料场发射阴极图案化制备方法。图案化场致发射阴极可以极大的提升基于纳米材料冷阴极的电子枪性能，对提升冷阴极器件的稳定性，具有重要的实际应用意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米材料 图案化 制备 场发射阴极 冷阴极 材料制备领域 场发射电子枪 场发射冷阴极 场致发射阴极 激光加工技术 真空电子器件 冷阴极器件 碳纳米管 应用意义 电子枪 石墨烯 氧化锌 | ||
【主权项】：
1.一种纳米场发射冷阴极图案化制备方法，其特征在于：将冷阴极发射体放置在激光设备中，对冷阴极薄膜材料表面进行图案化激光刻蚀，所述图案化激光刻蚀的图案与栅极形状对应，从而栅网丝径正下方区域的阴极材料得以去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810708433.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轨道客车蓄电池箱熔断器总成
- 下一篇：传输太赫兹波输能窗
