[发明专利]基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器

摘要

本发明公开基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。

主权项

1.基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：包括由下至上的衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格由第一介质膜层和第二介质膜层交替生长而成，且通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段在该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔阵列的间隙，该金属电极与该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格形成肖特基接触。