[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810709043.5 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109390384A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 星保幸;桥爪悠一;熊田惠志郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过抑制在切断面的内部方向上产生变形，从而即使长时间使用，可靠性也不降低的碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法。本发明的碳化硅半导体装置具备：有源区(211)，其设置于第一导电型的半导体基板(1)，并且有源区中有主电流流通；终端区域(210)，其配置于有源区(211)的外侧，且形成有耐压结构；以及损伤区(22)，其配置于终端区域(210)的外侧，且与单片化时形成的切断面接触，且结晶性受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅半导体装置 源区 终端区域 半导体基板 电流流通 内部方向 单片化 导电型 结晶性 切断面 损伤区 耐压 配置 制造 变形 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：有源区，其设置于第一导电型的半导体基板，并且所述有源区中有主电流流通；终端区域，其配置于所述有源区的外侧，且形成有耐压结构；以及损伤区，其配置于所述终端区域的外侧，且与单片化时形成的切断面接触，所述损伤区的结晶性受到损伤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810709043.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磊晶晶圆
- 下一篇：一种带负阻特性的单向TVS器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
