[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法及背沟道蚀刻型TFT基板

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法及背沟道蚀刻型TFT基板。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，采用两层的氧化硅层对有源层背沟道进行覆盖保护，先低温沉积形成氧化硅的第一钝化层，再高温沉积形成氧化硅的第二钝化层，然后采用含氮等离子体对第二钝化层表面进行处理，使第二钝化层表面的湿润角在60°以上，相比于采用单层氧化硅层对背沟道进行覆盖保护的现有技术方案，可提升背沟道蚀刻型氧化物TFT阻抗水气的作用，提升TFT电性，相比于采用氧化硅层与氮化硅层的组合对背沟道进行覆盖保护的另一现有技术方案，无需使用氮化硅层，可以避免氧化硅和氮化硅的沉积机台切换问题以及蚀刻选择比的问题，简化了制作工艺。

主权项

1.一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(11)，在所述栅极(11)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上形成对应于所述栅极(11)上方的有源层(20)，在所述有源层(20)与栅极绝缘层(12)上形成源极(31)与漏极(32)，所述源极(31)与漏极(32)分别与所述有源层(20)的两侧相接触；步骤S2、在所述源极(31)、漏极(32)、有源层(20)及栅极绝缘层(12)上沉积形成第一钝化层(41)，在所述第一钝化层(41)上沉积形成第二钝化层(42)，其中，所述第一钝化层(41)和第二钝化层(42)均为氧化硅层，所述第一钝化层(41)的沉积温度低于第二钝化层(42)的沉积温度，所述第二钝化层(42)的氧含量大于所述第一钝化层(41)的氧含量；步骤S3、采用含氮等离子体对所述第二钝化层(42)表面进行处理。