[发明专利]一种多阶重构的负电容

摘要

本发明公开了一种多阶重构的负电容，包括输入端口P1、输出端口P2、第一负载端口P3、第二负载端口P4、第一微带传输线TL1、第二微带传输线TL2、第三微带传输线TL3、第四微带传输线TL4、第五微带传输线TL5、第六微带传输线TL6、并联可调电容C1、并联可调电容C2、串联可调电容C3、并联可调电容C4、并联可调电容C5、串联可调电容C6、并联可调电容C7、并联可调电容C8、并联可调电容C9、并联可调电容C10、第一阶跨导Gm1和第二阶跨导Gm2。通过上述方案，本发明具有结构简单、易于调谐、制造成本低等优点。在微波电路技术领域具有很高的实用价值和推广价值。

主权项

1.一种多阶重构的负电容，其特征在于，所述负电容为至少两阶重构结构，且该负电容包括输入端口P1，输出端口P2，第一负载端口P3，第二负载端口P4，依次串联后一端与输入端口P1连接、且另一端与第一负载端口P3连接的第一微带传输线TL1、串联可调电容C6、第三微带传输线TL3和第五微带传输线TL5，依次串联后一端与输出端口P2连接、且另一端与第二负载端口P4连接的第二微带传输线TL2、串联可调电容C3、第四微带传输线TL4和第六微带传输线TL6，一端连接在第一微带传输线TL1与串联可调电容C6之间、且另一端接地的并联可调电容C1，一端连接在串联可调电容C6与第三微带传输线TL3之间、且另一端接地的并联可调电容C7，一端连接在第三微带传输线TL3与第五微带传输线TL5之间、且另一端接地的并联可调电容C8，一端连接在并联可调电容C8与第五微带传输线TL5之间、且另一端接地的并联可调电容C10，一端连接在第二微带传输线TL2与串联可调电容C3之间、且另一端接地的并联可调电容C2，一端连接在串联可调电容C3与第四微带传输线TL4之间、且另一端接地的并联可调电容C4，一端连接在第四微带传输线TL4与第六微带传输线TL6之间、且另一端接地的并联可调电容C5，一端连接在并联可调电容C5与第六微带传输线TL6之间、且另一端接地的并联可调电容C9，输入端连接在并联可调电容C1与串联可调电容C6之间、且输出端连接在并联可调电容C2与串联可调电容C3之间的第一阶跨导Gm1，以及输入端连接在并联可调电容C8与并联可调电容C10之间、且输出端连接在并联可调电容C5与并联可调电容C9之间的第二阶跨导Gm2。