[发明专利]一种零温漂电流偏置电路在审
| 申请号： | 201810712537.9 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108646846A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张胜;谭在超;丁国华;罗寅 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 吕书桁 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种零温漂电流偏置电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，第一电阻连接在第四MOS管源极和第一三极管发射极之间，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻连接在第三MOS管漏极和第三三极管发射极之间，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极接地，偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，基准电压产生电路连接运算放大器的正向输入端，第三电阻连接在第六MOS管源极与地之间。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 基准电压产生电路 电阻连接 电阻 偏置电流产生电路 电流偏置电路 三极管发射极 运算放大器 温漂 源极 集电极接地 正向输入端 共源共栅 源极连接 发射极 漏极 | ||
【主权项】：
1.一种零温漂电流偏置电路，其特征在于：包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，所述基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，并且源极连接电源VDD，第一MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第一MOS管的栅极与漏极相连，第二MOS管的漏极连接第五MOS管的漏极，第三MOS管的漏极连接第二电阻的一端，第四MOS管和第五MOS管的栅极相连，第五MOS管的栅极与漏极相连，第四MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第一三极管的发射极，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻的另一端连接第三三极管的发射极，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极均接地GND，在第三MOS管的漏极与第二电阻之间引出一条支路作为基准电压产生电路的输出端；所述偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，所述基准电压产生电路的输出端连接运算放大器的正向输入端，运算放大器的反向输入端连接第六MOS管的源极，运算放大器的输出端连接第六MOS管的栅极，第六MOS管的漏极连接第七MOS管的漏极，第七MOS管和第八MOS管的源极均连接电源VDD，第七MOS管和第八MOS管的栅极相连，第七MOS管的栅极和漏极相连，第三电阻的一端连接第六MOS管的源极，另一端接地GND，将第八MOS管的漏极引出作为偏置电流产生电路的输出端。
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