[发明专利]一种半导体器件封装结构和方法在审
| 申请号： | 201810712912.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108987350A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;张璧君;吴鹏飞;金锐;潘艳;温家良;吴军民;田丽欣 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/043;H01L23/22;H01L23/473;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑部件 半导体器件芯片 第一电极 第二电极 半导体器件封装 通孔 半导体器件 自保护功能 导电流体 封装结构 空腔连通 器件封装 散热作用 相对设置 液体泄漏 电极 下电极 空腔 开路 体内 芯片 侧面 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件封装结构，其特征在于，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。
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