[发明专利]一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构有效
| 申请号： | 201810713172.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108962309B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 范世全;董军;赵洋;张芮;苟伟;耿莉 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，由N层SRAM电路堆叠而成，第i层SRAM电路的高电压为 |
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| 搜索关键词： | 一种 高能量 利用率 功耗 堆叠 sram 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，其特征在于，由N层SRAM电路堆叠而成，第i层SRAM电路的高电压为![]()
第i层SRAM电路的低电压为![]()
1≤i≤N，N大于等于1，i及N均为正整数。
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