[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和阶梯区，且包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；在所述阶梯区上形成掩模图案，所述掩模图案包括分离的第一掩模层和第二掩模层；使用所述掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成初始阶梯；修整所述掩模图案，使所述第一掩模层的第一边缘向靠近所述核心区的方向缩小，且使所述第二掩模层从四周向中心缩小；以及使用修整后的掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述初始阶梯的位置形成第一阶梯，且在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成第二阶梯。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和阶梯区，且包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；在所述阶梯区上形成掩模图案，所述掩模图案包括分离的第一掩模层和第二掩模层；使用所述掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成初始阶梯；修整所述掩模图案，使所述第一掩模层的第一边缘向靠近所述核心区的方向缩小，且使所述第二掩模层从四周向中心缩小；以及使用修整后的掩模图案去除所述堆叠层的预定厚度，而在所述初始阶梯的位置形成第一阶梯，且在所述第一掩模层的第一边缘和所述第二掩模层的四周形成第二阶梯。