[发明专利]一种高介电常数无机/有机复合材料薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810714811.6 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108794941A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王一光;孙丹丹;高燕;陈峰 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L27/18;C08L25/06;C08L23/12;C08L79/08;C08L75/04;C08K3/34;C08J5/18 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 舒启龙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高介电常数无机/有机复合材料薄膜及其制备方法，属于高介电薄膜及其制备方法。本发明所述复合材料薄膜由聚合物转化陶瓷作为无机填料和有机聚合物基体组成，膜成型工艺包括溶液流延法和真空热压法。聚合物转化陶瓷是一种无定型共价键陶瓷，在低频下具有极高的介电常数，0.01Hz下可达35000以上，用于无机/有机复合材料，大大提高了复合材料的介电性能，主要作为电介质层应用于薄膜电容器、高储能密度超级电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 有机复合材料 制备 薄膜 高介电常数 陶瓷 聚合物 有机聚合物基体 复合材料薄膜 薄膜电容器 超级电容器 溶液流延法 真空热压法 电介质层 介电常数 介电性能 无机填料 复合材料 高储能 高介电 共价键 膜成型 无定型 转化 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高介电常数无机/有机复合材料薄膜，其特征在于，所用无机填料为一种聚合物转化陶瓷PDCs，也称前驱体陶瓷，成分为硅基陶瓷，结构为无定型/非晶态；上述前驱体为聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚硼硅氮烷或聚硼硅氧烷，上述前驱体陶瓷具有SiCNO、SiCO、SiBCNO或SiBCO成分；所用有机聚合物基体，包括但不限于以下聚合物材料：聚偏氟乙烯PVDF及其共聚物，聚氨酯PU，聚苯乙烯PS，聚酰亚胺PI，聚丙烯PP；上述材料由体积分数1～60vol％的无机填料组成，余量为有机聚合物基体。
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