[发明专利]流体控制装置、流体控制方法和程序存储介质有效
申请号: | 201810715000.8 | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN109207963B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 西里洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;F16K31/02;F16K37/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供流体控制装置、流体控制方法和程序存储介质。流体控制装置能够在脉冲控制中在各打开期间对经过阀的流体的流量或压力实现比以往更高的控制精度,控制机构包括:脉冲信号发生器,向第一阀输入具有预定的脉冲高度和预定的脉冲宽度的脉冲信号;反馈值算出部,基于由压力传感器测定的压力值,计算出所述第一阀打开的打开期间在内部容积部内产生的压力下降量的时间积分值作为反馈值;以及信号修正部,基于所述反馈值与基准值的偏差,对从所述脉冲信号发生器输入所述第一阀的脉冲信号进行修正。 | ||
搜索关键词: | 流体 控制 装置 方法 程序 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种流体控制装置,其特征在于,包括:阻力体,设置于流体流动的流路;第一阀,在所述流路中设置在比所述阻力体更靠下游侧;压力传感器,在所述流路中设置在所述阻力体与所述第一阀之间,测定所述阻力体与所述第一阀之间的内部容积部内的流体的压力;以及控制机构,控制所述第一阀,所述控制机构包括:脉冲信号发生器,向所述第一阀输入具有预定的脉冲高度和预定的脉冲宽度的脉冲信号;反馈值算出部,基于由所述压力传感器测定的压力值,计算出所述第一阀打开的打开期间在所述内部容积部内产生的压力下降量的时间积分值作为反馈值;以及信号修正部,基于所述反馈值与基准值的偏差,对从所述脉冲信号发生器输入所述第一阀的脉冲信号进行修正。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社堀场STEC,未经株式会社堀场STEC许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810715000.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:化学气相生长装置
- 下一篇:一种用于电阻加热式MOCVD反应室的加热装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的