[发明专利]具有局部层间互连的单片三维(3D)IC在审
| 申请号： | 201810715896.X | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109411408A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | P.莫罗;K.军;M.C.韦布;D.W.奈尔逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/84;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/11;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 单片3D IC采用与3D IC中的至少一个晶体管层上的至少一个晶体管的至少一个结构紧密集成的一个或多个局部层间互连。在某些实施例中，局部层间互连与至少一个晶体管的栅电极或源/漏区相交，并且通过设置在所述3D IC中的第一与第二晶体管层之间的至少一个层间介电阶层延伸。局部层间互连可有利地进行不同层的3D IC中的晶体管之间的直接垂直连接，而无需围绕互连的上面或者下面晶体管层的占用面积(即，横向或平面面积)横向布线。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 局部层 晶体管层 晶体管 单片 层间介电 垂直连接 源/漏区 栅电极 布线 三维 相交 占用 阶层 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种微电子装置，包括：晶体管，包含：鳍，包括单晶材料；栅电极，与所述鳍的侧壁相邻并且在所述鳍的顶面之上；源和漏，被耦合到所述鳍；源金属化，接触顶面或所述源的侧壁中的至少一个；漏金属化，接触顶面或所述漏的侧壁中的至少一个；以及在所述鳍下面的介电材料，其中所述源金属化和漏金属化中的至少一个通过所述介电阶层延伸，并且与所述介电材料下面的金属化接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
