[发明专利]一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810716038.7 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108760104B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;李笑笑;高凤梅;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法，属纳米材料制备技术领域。该传感器包括石墨基底、原子力显微镜探针以及负载于石墨基底上的功能单元，功能单元为N掺杂SiC纳米带，其制备方法：有机前驱体与双氰氨粉末按(1.5‑3):1混合并置于石墨坩埚，并将碳纤维布衬底置于坩埚顶部；在气氛烧结炉在氩气下先加热至1000‑1040℃保温8‑12分钟，然后升温至1390‑1420℃保温5‑10分钟，升温至1490‑1520℃，然后冷却至1080‑1120℃，再随炉冷却至室温。本发明采用大宽厚比、低缺陷密度的单晶N掺杂SiC纳米带作为功能单元，实现了纳米带压力传感器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 灵敏 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的压力传感器包括石墨基底、原子力显微镜探针以及负载于石墨基底上的功能单元，所述的功能单元为N掺杂SiC纳米带。
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