[发明专利]一种非晶二氧化钛包覆CdSe量子点及其制备和应用在审
| 申请号： | 201810716107.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108905950A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 侯成义;冯天昊;戚佳斌;王宏志;张青红;李耀刚 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | B01J20/06 | 分类号： | B01J20/06;B01J27/057;C02F1/28;C02F1/30;B01J20/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶二氧化钛包覆CdSe量子点及其制备和应用。非晶二氧化钛与CdSe量子点的摩尔比为0.8:1～10:1。制备方法包括：镉前驱体溶液制备；硒前驱体溶液制备；CdSe量子点溶液制备；非晶二氧化钛包覆CdSe量子点制备。该非晶二氧化钛包覆CdSe量子点的光催化性能相对非晶二氧化钛有较好提升，吸附性能大幅提升。制备方法简单易行，对设备要求较低，成本相对较低。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钛 非晶 包覆 制备 制备和应用 溶液制备 镉前驱体溶液 光催化性能 硒前驱体 吸附性能 对设备 摩尔比 | ||
【主权项】：
1.一种非晶二氧化钛包覆CdSe量子点，其特征在于，非晶二氧化钛与CdSe量子点的摩尔比为0.8:1～10:1。
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