[发明专利]一种可靠的双极性SnO薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810716165.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660865A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 辛倩;宋爱民;屈云秀 | 申请（专利权）人： | 山东大学苏州研究院;山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 11676 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 褚庆森 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的可靠的双极性SnO薄膜晶体管，包括衬底、栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极，半导体层为SnO半导体层，SnO半导体层的外表面上设置有氧化铝Al | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 制备 薄膜晶体管 覆盖层 双极性 氧化铝 薄膜 绝缘层 材料形成 互补逻辑 退火处理 外界环境 低功耗 漏电极 衬底 漏极 源极 氧气 电路 隔离 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可靠的双极性SnO薄膜晶体管，包括衬底、栅极（1）、绝缘层（2）、半导体层（3）、源极（4）和漏极（5），半导体层与绝缘层相接触，源极和漏极与半导体层相接触；其特征在于：所述半导体层为氧化亚锡SnO半导体层，SnO半导体层的外表面上设置有氧化铝Al
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