[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极、N型电极和复合层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底的第一表面上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，透明导电薄膜铺设在P型半导体层上，P型电极设置在透明导电薄膜上，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上；复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，若干金属纳米颗粒间隔设置在衬底的第二表面上，无机材料层铺设在若干纳米银颗粒和若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，复合层的折射率小于或等于1。本发明工艺简单、制作成本低、制作周期短。

主权项

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电薄膜铺设在所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；其特征在于，所述发光二极管芯片还包括复合层，所述复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，所述若干金属纳米颗粒间隔设置在所述衬底的第二表面上，所述无机材料层铺设在所述若干纳米银颗粒和所述若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，所述复合层的折射率小于或等于1，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面。