[发明专利]一种PD设备的防浪涌电路在审

专利信息
申请号: 201810717508.1 申请日: 2018-07-03
公开(公告)号: CN108683167A 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 巩令风;谭在超;丁国华;罗寅;张胜 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 吕书桁
地址: 215600 江苏省苏州市张家港*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种PD设备的防浪涌电路,包括设置在协议芯片内部的单电源运放、第一MOS管、运放、第一电流源、分压电阻、熔丝修调电路、采样电阻、第二MOS管,单电源运放的正输入端接第一电流源,单电源运放的负输入端接运放的输出端,单电源运放的输出端接第一MOS管的栅极,第一MOS管的漏极接GND,第一MOS管的源极接运放的正输入端,运放的负输入端接VSS,采样电阻接入运放的正输入端和VSS之间,分压电阻的一端接熔丝修调电路,另一端接VSS,第二MOS管的漏极接第一MOS管的栅极,第二MOS管的栅极连接协议芯片内的使能端EN,第二MOS管的源极接GND。本电路可精确控制上电时流入协议芯片的最大电流,保护协议芯片,提高了用户产品的集成度。
搜索关键词: 单电源运放 协议芯片 正输入端 运放 电路 防浪涌电路 采样电阻 分压电阻 负输入端 电流源 输出端 漏极 熔丝 源极 保护协议 用户产品 栅极连接 最大电流 集成度 上电 使能 芯片
【主权项】:
1.一种PD设备的防浪涌电路,其特征在于:包括设置在协议芯片内部的高增益运算放大器、第一MOS管、运算放大器、第一电流源、分压电阻、熔丝修调电路、采样电阻、第二MOS管、电源地GND和数字地VSS,电源VDD连接DC_DC模块的输入端,DC_DC模块的接地端连接电源地GND,高增益运算放大器的正输入端连接在第一电流源和熔丝修调电路之间,高增益运算放大器的负输入端连接运算放大器的输出端,高增益运算放大器的输出端连接第一MOS管的栅极,第一MOS管的漏极连接电源地GND,第一MOS管的源极连接运算放大器的正输入端,运算放大器的负输入端连接数字地VSS,采样电阻接入运算放大器的正输入端和数字地VSS之间,分压电阻的一端连接熔丝修调电路,分压电阻的另一端连接数字地VSS,第二MOS管的漏极连接第一MOS管的栅极,第二MOS管的栅极连接协议芯片内的使能端EN,第二MOS管的源极连接数字地VSS。
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