[发明专利]一种高触发电压可控硅在审
| 申请号： | 201810718050.1 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108878522A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李家贵 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高触发电压可控硅，包括塑封体，塑封体内设置有可控硅芯片和二极管芯片，塑封体上还设置有控制极G、阳极A和阴极K引线，二极管芯片设置在控制极G上，可控硅芯片一路经过二极管芯片连接至控制极G，另一路与阴极K连接。本发明具有较高的触发电压，有效防止可控硅在强电磁脉冲环境下被触发误开启，可靠性高，通过控制极串联二极管的电压大小精确控制触发电压，能够适配各种应用电路而不需要重新设计新的驱动电路。 | ||
| 搜索关键词： | 触发电压 控制极 二极管芯片 可控硅 阴极 可控硅芯片 塑封体 串联二极管 强电磁脉冲 阳极 驱动电路 应用电路 重新设计 误开启 触发 适配 塑封 体内 | ||
【主权项】：
1.一种高触发电压可控硅，其特征在于，包括塑封体(8)，所述塑封体(8)内设置有可控硅芯片(2)和二极管芯片(5)，所述塑封体(8)上还设置有控制极G、阳极A和阴极K引线，所述二极管芯片(5)设置在控制极G上，所述可控硅芯片(2)一路经过二极管芯片(5)连接至控制极G，另一路与阴极K连接。
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