[发明专利]一种SOI平面波导布拉格光栅及制作方法在审
| 申请号： | 201810719625.1 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108919414A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 熊迪;谭满清;郭文涛;焦健;郭小峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高端面反射率窄反射带宽的SOI平面波导布拉格光栅及其制作方法，该光栅能有效进行窄带滤波，减小背面反射，实现高的端面反射率，提高波导与光纤的耦合效率；同时，能够实现SOI波导光栅制作过程中高精度的对准以及制备，保证光栅在脊型波导内脊表面的均匀分布，保证光栅图形与脊型边缘的垂直特性，从而保证SOI波导光栅的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 布拉格光栅 平面波导 端面反射率 窄反射带宽 垂直特性 光栅图形 光栅制作 脊型波导 窄带滤波 耦合效率 反射率 高端面 保证 波导 脊型 减小 内脊 反射 制备 制作 背面 对准 光纤 | ||
【主权项】：
1.一种SOI平面波导布拉格光栅结构，其特征在于，包括：SOI片；脊型波导结构(4)，其形成在所述SOI片上表面的中间位置，其中，所述脊型波导结构(4)包括光栅区域(8)和在两端与所述光栅区域(8)光滑连接的波导区域(9)，所述光栅区域(8)为直条脊型，所述波导区域(9)为弯曲脊型；布拉格光栅结构(5)，其形成在所述脊型波导结构(4)的内脊表面；SOI平面波导光栅(7)，其形成在所述SOI晶片上表面未覆盖有脊型波导结构(4)的位置。
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