[发明专利]一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法，该方法采用商品氧化亚锡作为前驱物，硅片作为基底，使用气相沉积法成功得到了微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜材料。对于氧化亚锡薄膜的制备，该方法所需原料简单易获取，成本较低且无废弃物产生。制备工艺操作简单，不受环境因素限制。氧化亚锡由于其特殊的光学和电学性能，使得其在光电领域的应用非常广，因此被广泛用于催化剂、还原剂、薄膜晶体管、锂电池电极及超大容量储器等领域。本发明创新了氧化亚锡薄膜制备的研究思路，为氧化亚锡薄膜的光电性能研究奠定基础。

主权项

1.一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体为：以氧化亚锡粉末为前驱物，将其放置于刚玉舟中，然后将基底硅片架设于前驱物斜上方，然后置于化学气相沉积(CVD)管式炉内，持续通入氩气，升温至780‑820℃，使前驱物在氩气环境中进行反应，在基底硅片表面获得由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜。