[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法在审
申请号: | 201810721512.5 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN108630768A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 | 代理人: | 程春生 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法,所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构,周期尺寸在1~100微米之间,所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。所述陷光阵列结构的陷光界面约50%的区域满足光的全反射条件。表面陷光阵列结构的制备方法是:选用平板玻璃作为衬底,采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。以该陷光结构玻璃基片为衬底材料沉积薄膜电池,可以有效地提高电池的光能俘获能力,同时具有宽谱段的光子调控能力和准全向特征,提升电池全天光子俘获,从而显著增加薄膜太阳电池的光电转换效率,因此在薄膜太阳电池领域有着良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 陷光 阵列结构 薄膜太阳电池 制备 玻璃基片 衬底材料 电池 各向同性腐蚀 光电转换效率 全反射条件 平板玻璃 凹坑结构 半椭球状 沉积薄膜 调控能力 干法刻蚀 工艺加工 光子俘获 陷光结构 周期排列 宽谱段 有效地 俘获 光能 光子 衬底 全向 湿法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构,其特征在于所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构,周期尺寸在1~100微米之间,所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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