[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 201810721512.5 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN108630768A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 陈乐;钱正芳;孙一翎;舒国响;陈肇聪 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236
代理公司: 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 代理人: 程春生
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法,所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构,周期尺寸在1~100微米之间,所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。所述陷光阵列结构的陷光界面约50%的区域满足光的全反射条件。表面陷光阵列结构的制备方法是:选用平板玻璃作为衬底,采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。以该陷光结构玻璃基片为衬底材料沉积薄膜电池,可以有效地提高电池的光能俘获能力,同时具有宽谱段的光子调控能力和准全向特征,提升电池全天光子俘获,从而显著增加薄膜太阳电池的光电转换效率,因此在薄膜太阳电池领域有着良好的应用前景。
搜索关键词: 陷光 阵列结构 薄膜太阳电池 制备 玻璃基片 衬底材料 电池 各向同性腐蚀 光电转换效率 全反射条件 平板玻璃 凹坑结构 半椭球状 沉积薄膜 调控能力 干法刻蚀 工艺加工 光子俘获 陷光结构 周期排列 宽谱段 有效地 俘获 光能 光子 衬底 全向 湿法 应用
【主权项】:
1.一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构,其特征在于所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构,周期尺寸在1~100微米之间,所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。
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