[发明专利]一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法有效
| 申请号： | 201810722065.5 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108900173B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张树民;陈海龙;王国浩;汪泉 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310015 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法，具体包括如下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。本发明采用二氧化硅作为器件的支撑结构，二氧化硅作为绝缘材料，在射频下损耗较小，因此本发明可以选择高阻硅片也可以选择普通硅片，在成本上能够降低；本发明的压电三明治结构生长于衬底硅片本身的单晶硅上，因此晶格匹配较好，有利于生长性能更好的下电极和压电薄膜，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。
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