[发明专利]集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件有效
| 申请号： | 201810723450.1 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109192776B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;陈辉;张玉明;宋庆文;张艺蒙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述N‑漂移区(7)内部；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，栅极(10)；所述源极(4)与所述N‑漂移区(7)的界面为肖特基接触。所述器件能够提高器件性能的可靠性，并降低设计的复杂性和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 型源槽 vdmosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；以及漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；栅极(10)，设置在所述栅介质(2)上方；所述源极(4)与所述N‑漂移区(7)的界面为肖特基接触。
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