[发明专利]MoNb靶材有效
| 申请号： | 201810723639.0 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109207941B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 福冈淳;青木大辅;齐藤和也;上野英 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/04;C22C1/04;B22F1/00;B22F3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm |
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| 搜索关键词： | monb 靶材 | ||
【主权项】：
1.一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个。
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