[发明专利]结晶金属氧化物层的制造方法、主动元件基板及制造方法

摘要

本发明提供了一种结晶金属氧化物层的制造方法、主动元件基板的制造方法及主动元件基板，结晶金属氧化物层的制造方法包括：提供基板；形成第一绝缘层于基板上；形成第一金属氧化物层于第一绝缘层上；形成第二金属氧化物层于第一绝缘层上；形成第二绝缘层于第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层上；形成硅层于第二绝缘层上；对覆盖第一金属氧化物层之部分硅层进行第一激光工艺；以及对覆盖第二金属氧化物层的部分硅层进行第二激光工艺。本发明的技术方案可以降低形成不同的结晶金属氧化物层时所需的成本，改善主动元件基板的漏电问题，增加主动元件基板的电流效率，缩小主动元件基板的边框宽度。

主权项

1.一种结晶金属氧化物层的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：提供一基板；形成一第一绝缘层于该基板上；形成一第一金属氧化物层于该第一绝缘层上；形成一第二金属氧化物层于该第一绝缘层上；形成一第二绝缘层于该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层上，该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层位于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间；形成一硅层于该第二绝缘层上，该硅层覆盖该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层；对覆盖该第一金属氧化物层的部分该硅层进行一第一激光工艺，以使该第一金属氧化物层转化为一第一结晶金属氧化物层；以及对覆盖该第二金属氧化物层的部分该硅层进行一第二激光工艺，以使该第二金属氧化物层转化为一第二结晶金属氧化物层。