[发明专利]一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法有效
| 申请号： | 201810724388.8 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110683532B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 赵文杰;吴英豪;祝欣宇;沈路力;曾志翔;王立平;薛群基 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。所述方法包括：提供CVD石墨烯薄膜，将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。本发明的方法操作简单，能显著提高石墨烯薄膜的防腐蚀性能，为石墨烯薄膜的长效防护性能提供技术支撑；同时，本发明可显著改善CVD石墨烯薄膜的润湿性能，从而极大的提高了石墨烯/低表面能物质复合膜层对金属基体的保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 cvd 石墨 薄膜 耐蚀性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，其特征在于包括：/n提供CVD石墨烯薄膜；/n将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积形成具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。/n
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