[发明专利]一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法有效
| 申请号： | 201810724522.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109285801B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙涌涛;彭兴 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;C23C16/44 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及PERC太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。本发明利用氧化硅优异的金属杂质钝化性能和阻挡性能，作为电池片与石墨舟之间接触的隔离层，能够有效增强石墨舟表面膜层对石墨舟表面金属离子的钝化及隔离效果，防止了高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 双面 氧化铝 结构 perc 电池 石墨 污染 方法 | ||
【主权项】：
1.一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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