[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201810726671.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216211B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 靍泽俊浩;小坂尚史;三木香;木村雄大;高本尚英;大西谦司;杉村敏正;赤泽光治 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/60;C09J7/24;C09J7/29 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，对于宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距100mm下进行的拉伸试验中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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