[发明专利]一种异质外延薄膜结构在审
申请号: | 201810727030.0 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN108914204A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 宁平凡;牛萍娟;刘宏伟;张建新;李玉强;梁立君 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B25/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种外延薄膜结构。所述外延薄膜结构包括:一基底,所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底;一外延层,所述外延层为具有介电可调性能的氧化物薄膜,该薄膜在所述基底的外延生长面上生长;以及一缓冲层,所述缓冲层设置于该基底与外延层之间,所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成。 | ||
搜索关键词: | 基底 缓冲层 外延层 外延薄膜 外延生长 薄膜 异质外延薄膜 两层氧化物 氧化物薄膜 氮化镓基 可调性 介电 生长 | ||
【主权项】:
1.一种外延薄膜结构,其包括:一基底,所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底;一外延层,所述外延层为具有介电可调性能的金属氧化物薄膜,该薄膜在所述基底的外延生长面上生长;一缓冲层,所述缓冲层设置于该基底与外延层之间,所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成。
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