[发明专利]一种异质外延薄膜结构在审
| 申请号： | 201810727030.0 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN108914204A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 宁平凡;牛萍娟;刘宏伟;张建新;李玉强;梁立君 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延薄膜结构。所述外延薄膜结构包括：一基底，所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底；一外延层，所述外延层为具有介电可调性能的氧化物薄膜，该薄膜在所述基底的外延生长面上生长；以及一缓冲层，所述缓冲层设置于该基底与外延层之间，所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 缓冲层 外延层 外延薄膜 外延生长 薄膜 异质外延薄膜 两层氧化物 氧化物薄膜 氮化镓基 可调性 介电 生长 | ||
【主权项】：
1.一种外延薄膜结构，其包括：一基底，所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底；一外延层，所述外延层为具有介电可调性能的金属氧化物薄膜，该薄膜在所述基底的外延生长面上生长；一缓冲层，所述缓冲层设置于该基底与外延层之间，所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成。
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