[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810728556.0 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690275B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李家豪;洪章响;马洛宜·库马;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，其中，该半导体装置包含设置于衬底上的化合物半导体层，以及设置于化合物半导体层上的保护层。源极电极、漏极电极和栅极电极穿过保护层且设置于化合物半导体层上。此半导体装置还包含栅极场板，其连接栅极电极且设置于保护层介于栅极电极与漏极电极之间的部分上。栅极场板具有延伸至保护层中的延伸部。本发明实施例利用栅极场板具有延伸至保护层中的延伸部，其可减缓栅极电极在靠近漏极电极的侧边的电场梯度，以提升半导体装置的击穿电压，进而提升半导体装置的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一化合物半导体层，设置于一衬底之上；/n一保护层，设置于该化合物半导体层之上；/n一源极电极、一漏极电极和一栅极电极，穿过该保护层且设置于该化合物半导体层之上；以及/n一栅极场板，连接该栅极电极且设置于该保护层介于该栅极电极与该漏极电极之间的一部分之上，其中该栅极场板具有延伸至该保护层中的一延伸部。/n
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