[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201810730527.8 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109207151B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 柳灏成;李浚银;张平和;金容逸;朴镇 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;郑毅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1： |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包含：磷酸；以及由以下化学式1表示的化合物：化学式1：![]()
在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为‑(C(R5)(R6))m‑，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。
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