[发明专利]芯片封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201810730689.1 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109727876A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;蔡柏豪;庄博尧;翁得期 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/498 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供芯片封装的结构及其形成方法。此方法包含：设置半导体晶粒于载体基板之上。此方法也包含设置中介层基板于此载体基板之上。此中介层基板具有凹槽，此凹槽穿过该中介层基板的相反面。此中介层基板具有围绕半导体晶粒的内部侧壁，并且此半导体晶粒等高于或高于此中介层基板。此方法还包含在中介层基板的凹槽中形成保护层，以围绕半导体晶粒。另外，此方法包含移除载体基板以及堆叠封装结构于该中介层基板之上。 | ||
| 搜索关键词： | 中介层基板 半导体晶粒 载体基板 芯片封装 堆叠封装结构 内部侧壁 保护层 相反面 移除 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装的形成方法，包括：设置一半导体晶粒于一载体基板之上；设置一中介层基板于该载体基板之上，其中该中介层基板具有一凹槽，该凹槽穿过该中介层基板的相反面，该中介层基板具有围绕该半导体晶粒的内部侧壁，并且该半导体晶粒等高于或高于该中介层基板；在该中介层基板的该凹槽中形成一保护层，以围绕该半导体晶粒；移除该载体基板；以及堆叠一封装结构于该中介层基板之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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