[发明专利]一种氧化锶钛晶体管的制作方法在审

专利信息
申请号: 201810731512.3 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN110690274A 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 刘程秀 申请(专利权)人: 刘程秀
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L21/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214035 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种氧化锶钛晶体管的制作方法即一种钛酸锶晶体管的制作方法,主要采用掺杂的N型和P型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起,形成P-N结,P-N-P结,N-P-N结和多结结构晶体管,其制作工艺简单,制作的晶体管结面更锐,稳定性好,故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件,还可能发展成为钛酸锶集成电路。
搜索关键词: 钛酸锶晶体管 晶体管 制作 结构晶体管 钛酸锶薄膜 电子器件 氧化锶钛 制作工艺 掺杂的 钛酸锶 叠层 多结 集成电路 应用
【主权项】:
1.一种氧化锶钛晶体管的制作方法,氧化锶钛即钛酸锶,其特征在于在NbSrTiO3或YSZ或SrTiO3或LaAlO3单晶基片上将掺杂而成的P型和N型钛酸锶薄膜材料叠层外延在一起,形成P-N结,P-N-P结,N-P-N结及多结结构晶体管;其中N型钛酸锶为Sr1-XLaxTiO3或SrAxTi1-XO3,A是Nb或Sb;P型钛酸锶为SrBxTi1-XO3,B是In或Mn;X取值范围为0.005-0.6。/n
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