[发明专利]氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、半导体元件及电子装置在审
| 申请号： | 201810733814.4 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108878267A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 井上聪;下田达也;川北知纪;藤本信贵;西冈圣司 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;C01G15/00 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国石川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 氧化物半导体 粘合剂 前驱体层 前驱体 半导体元件 电子装置 烧成 脂肪族聚碳酸酯 差示热分析法 金属 形成工序 电特性 氧键合 放热 基板 加热 制造 分解 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯，并可包含不可避免的杂质；以及烧成工序，在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将所述前驱体层加热后，在比所述第1温度更高、而且为所述金属与氧键合的温度、且为所述化合物的利用差示热分析法DTA的放热峰值即第2温度以上的温度，烧成所述前驱体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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